Perancangan Concurrent Multiband Power Amplifier Kelas E

Gunawan Wibisono

Abstract


Pada penelitian ini dirancang High efficiency Concurent Multiband RF Power Amplifier Class-E dengan teknologi CMOS 0.18um type N, yang beroperasi padafrekuensiGSM 900 MHz, GSM 1800 MHz, WIMAX 2300 Mhz, dan LTE 2600 Mhz, dengan menggunakan dua metode perancangan. Rancangan pertama menggunakan metode multiband Class-EPower Amplifier yang konvensional, dan perancangan kedua dengan menambahkan rangkaian Driver Stage untuk menghasilkan Insertion loss (S21) yang lebih besar. input matching dan output matching dirancang dengan menggunakan komponen lumped. Hasil dari perancangan ini diperoleh nilaiInsertion loss (S21) bernilai lebih besar dari 15 dB dan Return loss (S11) dibawah -15 dB, Tegangan supply 5 Volt, Power Added Efficiency >50%.

Keywords


Butler Matriks, Perubah fasa, pembagi daya.

Full Text:

PDF

References


Mark P. Van der heijden, Mustafa Acar, and Jan S. Vromans. “A Compact 12-watt High-Efficiency 2.1-2.7 GHz Class-E GaN HEMT Power Amplifier for Base Stations”.IEEE. 2009.

Sugijono, Erwin. “Perancangan Dual Band High Power Amplifier Untuk Mobile WIMAX dan LTE Pada Frekuensi 2,35 GHz dan 2,65 GHz”. Depok: Universitas Indonesia 2011.

Firmansyah, Teguh. “Perancangan Dielectric Resonator Oscillator Untuk Mobile WiMAX Pada Frekuensi 2,3 GHz Dengan Penambahan Coupling ”. Depok: Universitas Indonesia 2010.

Hella M. Mona, Mohammed Ismail. RF CMOS Power Amplifier: Theory, Design and Implementation. New York: Kluwer Academic Publisher. 2002.

Pozar, David M. Microwave and RF Design of Wireless Systems. New York: Wiley and Sons, 2000.

Seung Hun Ji, Gyu Seok Sik Cho, Jae W. Lee and Jaeheung Kim. “836 MHz/1.95 GHz Dual – Band Class-E Power Amplifier Using Composite Right/Left-Handed Transmission Lines”. Korea: Hankuk Aviation University 2006.

S.A.Z Murad, R.K. Pokharel, H. Kanaya dan K. Yoshida. “A 2.4 GHz 0.18-µm CMOS Class-E Single-Ended Power Amplifier without Spiral Inductors”. IEEE. 2010.

Paul Saad , Christian Fager , Haiying Cao, Herbert Zirath, and Kristoffer Andersson . “Design of a Highly Efficient 2–4-GHz Octave Bandwidth GaN-HEMT Power Amplifier”. IEEE. 2010.

Choi Hing Cheung. “RF Power Amplifier – Class F Power Amplifier”. Hongkong: The Chinese University of Hongkong.

A. Diet, M. Villegas, G. Baudoin, F. Robert. ”A Methodology for Multi-Band Class E RF PA Gain”. IEEE. 2010.




DOI: http://dx.doi.org/10.36055/setrum.v1i2.485

Refbacks

  • There are currently no refbacks.